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而且光电化学在太阳能转换为化学能

作者:ag真人游戏 发布于:2021-01-27 23:55 点击量:

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  光电化学刻蚀在光照射下,半导体基质在与其相接触的电解质溶液中的溶蚀过程,这种技术用于半导体表面的光学制版工艺。

  20世纪70年代以来,人们对光电化学进行了广泛研究,促进了电化理论和电化学固体物理、光化学、光物理多门科学交叉领域理论的迅速发展。而且光电化学在太阳能转换为化学能,即光电合成和光催化合成方面,在传感器、光电显色材料和信息存贮材料方面,在医学上用以灭菌、杀死癌细胞等方面,展示出广阔的应用前景。光电化学领域正在着重开展光电化学过程的电荷转移和能量转换的研究,主要包括:半导体表面性质与电荷转移的关系、电解质溶液(包括高浓度无机电解质溶液、有机电解质溶液、含各种不同氧化还原对溶液等)对半导体界面电荷转移的影响;半导体、修饰物、电解质溶液界面电荷转移的理论模型及界面效应;半导体光电化学腐蚀动力学、半导体表面的光电化学刻蚀等。

  电化学虽然是一门历史悠久的学科,但是由于现代科学技术的迅速发展,检测仪器和手段的发展,检测分子水平信息的现谱学电化学技术的建立及非现场表面物理技术的应用.有关电化学界面结构和界面行为的原子、分子水平信息的大量涌现,促使电化学进人由宏观到微观,由经验及唯象到非唯象理论的突破时期。

  现代电化学发展有几个特点:①研究的具体体系大为扩展;②处理方法和理论模型开始深人分子水平;③实验技术迅速提高、创新,建立和发展了在分子水平上检测电化学界面的现场谱学电化学技术。

  某一种半导体的刻蚀,其刻蚀速率大大超过另一半导体的刻蚀速率;或者虽然是同一种半导体,但是不同导电类型、不同掺杂成分、不同掺杂程度而导致的刻蚀速率不同称为半导体的选择性刻蚀,两种不同材料的腐蚀速率比称为选择比。

  由于湿法刻蚀总是在掩模的掩蔽下或者在另一种作为牺牲成分的掩蔽下进行的,所以刻蚀比是湿法刻蚀的一个重要参数。选择性刻蚀包括化学的、电化学的以及在光照下的电化学刻蚀。例如,半导体硅是制造各种电子器件的良好材料,制备半导体薄膜硅的一种:疗法就是利用电化学的选择性腐蚀方法,在p型Si上外延n型Si的薄层,制备欧姆接触后制成电极,在含有联胺或者氢氧化钠的溶液中,在Si电极上设置正向偏压,基底P型Si正常地发生电化学腐蚀而溶解,当p型硅溶解至露出n型薄层时,n型Si发生阳极氧化生成氧化膜,从而使溶解自动停止,形成n型Si的薄膜,用这种方法制成的薄膜,其厚度可控制在20mm。

  As,而对n-GaAs则基本不腐蚀。用此方法可制得十分平整光亮的活性光阴极。在HBT器件中,对于选择腐蚀的要求更高。

  近年来,采用光辅助或光电化学无掩模刻蚀的方法研究已经开始,即用一束聚焦激光在半导体/电解液界面上形成局部的亮区和暗区,在这局部的微区间形成电势差和浓度差,从而使半导体表面局部产生光电化学刻蚀,如采用步进电机使工作样品作X-Y二维移动,步进电机通过驱动器与计算机相接,可以利用计算机控制在半导体表面上刻蚀出各种需要的图案,利用激光束的相干性,还可获得激光光电化学刻蚀的全息图。它的最简单的应用是制造半导体的衍射光栅。

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