> 产品分类 / PRODUCTS CLASS

ag真人游戏工程机械有限公司

联系人:张经理 18994949493

微信:18994949493

地址:徐州金山桥工业园

您现在的位置:主页 > 新闻资讯 >

电化学刻蚀-学术百科-知网空间

作者:ag真人游戏 发布于:2021-02-01 04:41 点击量:

  在所构建的纳秒脉冲激光电化学加工系统中,利用激光辐照和脉冲电化学刻蚀复合的方法对铝合金进行了加工试验,研究了激光穿过溶液作用于物质时产生的力效应和电化学效应对加工质量的影响。试验 ...

  采用电化学刻蚀法制备了合金微电极。用扫描电镜(SEM)表征了微电极的表面形貌并估计了有效半径;在室温下用电化学工作站对微电极进行循环伏安特性分析。表征结果表明:使用0.1 mol ...

  光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一。由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视。从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修 ...

  提出了一种用于电化学刻蚀(ECE)分析的可编程高压电源实现方案。利用MAX038作为波形发生器,采用P89LPC936 MCU进行控制。电源的输出频率可达2 kHz,电压峰—峰值 ...

  报道了在含氟的酸性水溶液中,对电沉积制备的WO3薄膜电极进行电化学刻蚀,并采用光电化学、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱 ...

  采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较。结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好 ...

  在自制的三极电解槽中,采用浓度不同的氢氟酸(HF)电解液在一定掺杂浓度的p型硅基上,研究了大孔深通道阵列的形成过程。通过一系列实验、电化学测试与分析,从理论上论述了p型大孔深通道 ...

  结合多孔硅(Si)、多孔砷化镓(GaAs)以及多孔磷化铟(InP)的不同孔形貌,综合分析了元素半导体硅及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs、InP的刻蚀结构,系统地阐述了晶体结构在电化 ...

  本文概述了现行的金属微区刻蚀方法并详细地介绍几种电化学刻蚀方法 ,比较了掩膜法、扫描电化学显微镜法、约束刻蚀剂层法、电化学扫描遂道显微镜法和超短电位脉冲法各自的特点 .从加工精度 ...

  利用导电原子力显微镜针尖,对组装在单晶硅上的有序长链硅烷(OTS)单分子膜进行微区电化学氧化,非破坏地改变其表面甲基为羧基,形成线宽、间距在纳米量级且可控的梳状结构模板.然后通过 ...

ag真人游戏

上一篇:深耕高质量触控显示 秋田微成功登陆创业板

下一篇:中微半导体的5nm等离子体蚀刻机将用于台积电全

ag真人游戏 - 徐工装载机配件 - 徐工压路机配件 - 徐工平地机配件 - 公司简介 - 产品展示 - 新闻资讯 - 联系我们 -

版权所有: ag真人游戏 地址:徐州金山桥工业园 技术支持:徐州网络公司 网站地图